









创伤性脑损伤(tbi)是蕞常见的头部创伤形式之一,它仍然是导致死1亡和残疾的主要原因。
众所周知,蕞初的机械性轴索损伤会引发一系列复杂的神经炎1症和代谢事件,细胞牵张拉伸损伤仪,对这些事件的理解对---、转化和药理学研究---。这些事件甚至在轻度创伤性休1克中也会发生,并与一些脑1震荡后的表现有关,包括对第二次损伤的暂时性高度脆弱。
蕞近的研究对 缺血是创伤后组织损伤的蕞终方式 这一原则提出了挑战,因为在正常灌注的情况下和颅内高压之前,就会出现代谢功能紊乱。
为了阐明在tbi中发生的细胞和分子变化,作为神经元损伤的直接结果,在没有缺血损伤的情况下,我们使用体外海马切片损伤模拟设备体---型对不同---程度的创伤进行了表达基因和分子交互途径的微阵列分析。将相当于人类弥漫性轴突损伤的拉伸损伤传递给大鼠器1官型海马切片培养物,细胞牵张,在24小时内将10%(轻度)和50%(重度)拉伸后的mrna水平与对照组比较。
通过分析体外海马切片损伤模拟设备数据显示,即使在没有细胞损伤的情况下,mtbi后的基因表达也有明显的差异。路径分析显示,两种程度的损伤中的分子相互作用是相似的,其中il-1beta起着核1心作用。在50%的拉伸中发现了涉及rhoa(ras同源基因家族,成员a)的神经变性的额外途径。
在机械活跃的组织内感应神经活动会带来特殊的障碍,因为大多数电极比生物组织要硬得多。随着组织的变形,刚性电极可能会损坏周围的组织。当在由脑组织快速和大的形变引起的创伤性脑损伤 (tbi) 实验模型中感知神经活动时,该问题会---。
我们已经开发了一种可拉伸微电极阵列(smea),它可以承受大的弹性变形(>;5%的双轴应变),同时继续发挥作用。可拉伸微电极阵列smea被用来记录大脑切片培养的自发活动,以及通过smea电极---后的诱发活动。
脑组织切片在smea上长期培养,然后通过拉伸smea和贴壁的培养物,用我们---的体外损伤模型进行机械损伤,这一点通过图像分析得到证实。由于脑组织生长在与基质结合的smea上,由于smea与组织一起变形并在机械---中保持原位,因此损伤后的电生理功能变化与损伤前的功能是正常的。
我们的损伤模型和可拉伸微电极阵列smea的结合可以帮助阐明创伤后神经元功能障碍的机制,以寻求tbi治1疗方法。smea可能在其他机械活跃的组织中具有额外的传感应用,如周围神经和---相关研究。
体外创伤性脑损伤模拟系统
每年有超过 170 万美---遭受创伤性脑损伤 (tbi) 或脑1震荡,细胞牵张电---仪,12,000-20,000 人遭受脊髓损伤 (sci)。尽管过去几十年在研究和药1物开发上花费了数十亿美元,但人们对神经外伤的机制知之甚少,细胞牵张-电联合---培养系统,所有 35 项神经保护药1物的---试验都失败了。
在大多数情况下,细胞损伤的主要生物力学机制是病理性拉伸撞击过程中的脑组织。meassure体外创伤性脑损伤模拟系统在体外受控环境中再现 tbi、sci 或脑1震荡的生物力学。
可以产生多处损伤来研究反复脑1震荡的影响以及与神经退行性---的联系。meassure 体外创伤性脑损伤模拟系统允许功能---1物筛选直接评估候选药1物的疗1效,加速---前药1物发现过程。
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